一、引言

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理和化学性质，在光电子、微电子等领域具有广泛的应用前景。在氮化镓材料的制备和使用过程中，镁（Mg）等杂质元素的存在可能会对其性能产生不利影响。准确测定氮化镓材料中镁含量具有重要的意义。

二、实验部分

1. 仪器与试剂

- 仪器：电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）。

- 试剂：硝酸、盐酸、镁标准溶液。

2. 样品制备

- 将氮化镓材料研磨成细粉，过筛后备用。

- 准确称取一定量的氮化镓粉末，置于消解罐中，加入适量的硝酸和盐酸，密封后置于微波消解仪中进行消解。

- 消解完成后，将消解液转移至容量瓶中，定容至刻度，摇匀后备用。

3. 标准曲线绘制

- 准确吸取一定量的镁标准溶液，分别置于一系列容量瓶中，加入适量的硝酸和盐酸，定容至刻度，摇匀后得到不同浓度的镁标准溶液。

- 以镁标准溶液的浓度为横坐标，对应的发射强度为纵坐标，绘制标准曲线。

4. 样品测定

- 准确吸取一定量的消解液，置于容量瓶中，加入适量的硝酸和盐酸，定容至刻度，摇匀后得到样品溶液。

- 将样品溶液注入电感耦合等离子体发射光谱仪中，测定镁的发射强度。

- 根据标准曲线，计算样品中镁的含量。

三、结果与讨论

1. 精密度

- 对同一批氮化镓样品进行多次测定，测定结果的相对标准偏差（RSD）为0.5%，表明该方法具有较好的精密度。

2. 回收率

- 向氮化镓样品中加入一定量的镁标准溶液，进行加标回收实验，回收率在95%~105%之间，表明该方法具有较好的准确性。

3. 干扰因素

- 对可能存在的干扰因素进行了考察，结果表明，在本实验条件下，其他共存元素对镁的测定没有明显的干扰。

四、结论

本实验采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定了氮化镓材料中镁含量，该方法具有操作简单、快速、准确等优点，能够满足氮化镓材料中镁含量的测定要求。本实验还对方法的精密度、准确性和干扰因素进行了考察，结果表明，该方法具有较好的可靠性。