一、引言

在半导体行业中，硅片的质量对于器件的性能和可靠性起着至关重要的作用。而硅片径向电阻率变化是评估硅片质量的一个重要指标。GB/T11073-2025《硅片径向电阻率变化测量方法》为我们提供了一种准确、可靠的测量硅片径向电阻率变化的方法。本文将对该标准进行详细解读，以便更好地理解和应用。

二、测量原理

GB/T11073-2025规定了采用四探针法测量硅片径向电阻率变化。该方法基于欧姆定律，通过测量硅片表面的电流和电压，计算出硅片的电阻率。在测量过程中，需要将硅片固定在测量台上，并与四探针探头接触。四探针探头由四根等间距的探针组成，通过测量四根探针之间的电压差，计算出硅片的电阻率。

三、测量设备

根据GB/T11073-2025的要求，测量硅片径向电阻率变化需要使用专门的测量设备。这些设备通常包括四探针探头、测量台、电源、电压表等。在选择测量设备时，需要考虑设备的精度、稳定性和可靠性等因素。

四、测量步骤

GB/T11073-2025规定了详细的测量步骤。需要将硅片固定在测量台上，并与四探针探头接触。打开电源，调节电压表的量程，使电压表显示的电压值在合适的范围内。记录电压表的读数，并计算出硅片的电阻率。重复上述步骤，测量硅片的不同位置，得到硅片的径向电阻率变化曲线。

五、注意事项

在测量硅片径向电阻率变化时，需要注意以下几点。硅片的表面需要保持清洁，避免杂质和污染物的影响。四探针探头的接触压力需要适中，避免对硅片造成损伤。测量过程中需要保持环境温度和湿度的稳定，避免温度和湿度的变化对测量结果造成影响。